第四百三十一章：3D堆叠

p; 之前按照计划，如果开阳半导体还不能在短时间之内突破0.5微米制程技术，公司会直接采用3D堆叠技术来提升处理器性能。

    在2000年之前，微处理器的晶体管数量还没有达到一定量级，所谓发热问题都还不算太显著，再加上RISC指令集的处理器在功耗与发热方面控制都还比较好，只要不是堆叠层数太多，大不了再提前弄出CPU风扇、水冷这种东西，其实也都还可以跟微处理器更新换代速度。

    不过嘛，随着林本坚加入开阳半导体，带领团队迅速攻克0.5微米制程的工艺问题，于是在开阳915处理器项目中，最终还是没有打算那么早采用3D堆叠，选择传统方案，控制风险。

    此前开发的相应技术转为备用，并且还继续投资进行完善，以备不时之需，万一哪天的工艺制程技术被卡住，说不定还可以拿这技术出来救火。

    采用3D堆叠技术研制微处理器，未来会受到不同堆叠层之间间距太小所导致的散热难问题困扰，但如果将其用于存储设备，最难解决的散热问题便不会存在，基于内存设备工作性质来说，它压根儿是不会出现高发热的可能。

    在2011年，那时候的全球各大内存设备公司纷纷转战3D堆叠技术，迅速推出各种堆叠层数高达三十多四十层的内存芯片出来，在占用同等面积大小情况下，可以十倍于传统的DDR3的内存容量、读写速度。

    汪正国重生前，运用3D堆叠技术所制造的3D NAND内存芯片已经面世，并迅速更新迭代，完全有望直接革掉NAND/DRAM的命。

    至于他今天为什么要把这种好东西公布出来，这倒是没什么好说，开阳半导体好歹已经把该申请的专利拿到手，此时公布这条技术路线，摆明是要整个行业动荡起来，扰乱目前已经稳定的技术发展路线，从而浑水摸鱼。

    反正3D堆叠技术一旦申请专利，就会有公示期，那些顶级科技公司，哪个不是时刻关注着各国专利局的动向，什么新技术一出来，人家都会很快知道。

    “就我看来，3D堆叠技术在未来是大有可为，它是21世纪来临之际，解决摩尔定律失效的最好方案，科学技术发展过程中，从2D转到更高层次的3D世界，这个过程是必不可少。”

    主题演讲历时一小时15分钟，全程高能五尿点，各种爆料不断，可谓近几年最高品质主题演讲，ISSCC大会已经很久没有这种感觉了，此行不亏！

    随着台上宣布演讲结束，倪光南转身往台下离去，现场也不知道是谁先带头鼓掌，不到两秒时间，雷鸣般的掌声响彻全场，就连原本满是不屑的日本科研人员也得服气，这演讲确实很有水准。

    前排的IBM公司几位大佬互相看看，他们心里滋味确实不好形容，原本是准备来个“借刀杀人，过河拆桥“连环计，但现在看来，似乎这桥的质量太好，他们拆不掉。

    “很有趣，开阳半导体的能力非常不错，怪不得林本坚会到那里去工作，或者这又是下一个英特尔公司，而这位倪光南，作为开阳半导体公司的戈登摩尔，他是一位让人不得不敬佩的智者。”

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