胡说八道模电读书笔记（2023．10．12）

放大区，偏置增加不会显着影响ib。ib是一道坎，越过这个坎需要自由电子，或者反偏电压吸引，前期反偏产生的电场不够强，所以ib很大但是效果不好，这时是饱和状态，后面ib会大幅下降，逐渐显现出三极管的放大能力。

    输出特性：在基极电流一定时，集电极电压与集电极电流的关系，随着基极电流改变而画出的一条曲线簇。截止区：基极电压很小发射极截止，集电极电流很小；放大区：ic受ib控制，vce增加，在保证ib不变时，ic会略有增加。饱和区：我理解起来，用失真形容更为合适，vce很小，集电结反向偏置很弱，由发射极扩散过来的自由电子不能被反向偏置电场完全吸收至集电极，ib失去对ic的控制能力。

    接法不影响晶体管处在放大工作状态。共基极接法，输入特性与二极管类似，右边vcb电压增大，ie电流也增大，这是ib会逐渐减小至稳定。共基极的接法是恒流源，ie与ic几乎相等，饱和区、放大区、截止区就是管的状态。

    晶体管参数：直流放大系数，先变大再变小，开始因为ib很大在逐渐减小，后面因为另一种饱和，ib逐步提高，ic具有上限，这个放大系数变小。与之匹配的共基极直流放大系数可以用公式求得，也是在不断变化。

    集电结反向饱和电流icbo，看名字就知道是干什么的。穿透电流是基极开路，直接由c到e，穿透的名字就是这样的。研究它们主要是因为它们随着温度而变化，这些电流影响ib、ie、ic之间的关系，导致直流放大系数不稳定，如果因为温度变化而放大系数不确定，管子就会处于一个具有程度划分的不可控状态，一般直流放大系数越小的波动越少可控力越强。这里又是一个取舍。交流放大系数，在直流的基础上微小波动，由于在放大区，它也基本是不变的。共基极交流放大系数也认为几乎不变。

    （****）但是随着这个交流信号的频率上升，由于管子的电容特性，调节能力逐渐减弱，放大系数下降，降低到根号二分之一位为共发射极截止频率，降低到1为管子特征频率，共基极截止频率是共基极放大系数掉到根号二分之一时的信号频率。之后的频率是两者之和，前面的关系里频率有一个原放大系数的倍数关系。

    这个频率推倒很麻烦，有电容和频率响应的知识在里面，需要把电路转到复频域进行分析，-3db是能量上削减一半，反应出来就是幅值下降至0.707。不看了，记住这三个频率关系即可。

    在共射输出特性里面，向上是ic最大电流，向右是反向击穿电压，中间有一个反比例函数是最大功耗。所以在实际使用中，一般非线性的部分也是管子坏掉的部分，不需要画太多精力考虑那边的事。三个击穿压，两个结压和一个穿透压。这几个击穿是有大小关系的，有阻就不好击穿，越薄的地方越容易击穿。反正不能让任何一个地方被击穿。

    升温导致管子更加不稳定，更容易被击穿，电阻变小，某些比例会增大，电流会增大。

    进入模拟电路基本功能。信号放大电路。线性放大，否则是失真。

    信号放大电路，用小产生大，能量不会凭空产生，需要直流源，左侧是信号源与限流电阻，右边分为正电位，零电位和负电位接入，以及用电器。

    吧啦吧啦，后面的东西不写笔记，不画图是做不下去了。日记就写一些神来之笔吧！

    放大电路模型忽略了内部细节，是在做宏观上的决策。这个电路有四种类型，里面有四个电阻，选择方法是，另信号较多地加在输入电阻和负载电阻上。压，流，流转压为阻，压转流为导。电压源直通，电流源横着，放的为受控源，圆的是信号源。可做隔离，提高安全性与稳定性，但是分析选用是不变的。

    增益用db，相位差180就变负，有上限，有效值，最大幅值峰峰值是一个意思。

    非线性失真系数。谐波的幅值平方和开方比基波幅值，比较的是互相垂直的信号的模长。输入电阻输出电阻略。

    通频带：上，下各有一个3db衰减，中间的部分是通频带。功率与效率略吧。

    共射极基本放大电路脑袋上是负载哦！

    如果精通输入特性与输出特性，后面的图解法是不难的。

    再往后，看不懂啦！不看了不看了，唉！今天也不算是浪费时间，只能说有些路不好走了，要换路了。不过看了这么久，很开心啦！